2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.5 レーザー装置・材料

[10p-W834-1~14] 3.5 レーザー装置・材料

2019年3月10日(日) 13:15 〜 17:00 W834 (W834)

戸倉川 正樹(電通大)、古瀬 裕章(北見工大)

14:30 〜 14:45

[10p-W834-6] Passively Q-switched 25 MW peak power doughnut mode laser using Nd:YAG ceramic microchip

Hwan Hong Lim1、Takunori Taira1,2 (1.IMS、2.RIKEN SPring-8)

キーワード:Doughnut mode, Unstable cavity, Microchip laser

We present 25 MW peak power doughnut mode laser based on a passively Q-switched monolithic Nd:YAG/Cr:YAG ceramic microchip laser with unstable cavity. The measured pulse energy and pulse width is 13.2 mJ and 520 ps, respectively.