[11a-M112-1~11] 12.2 評価・基礎物性

[11a-M112-1] [講演奨励賞受賞記念講演] アニオン交換を用いた新規ドーピング手法による高分子半導体の伝導特性と熱耐久性の向上

〇山下 侑¹、鶴見 淳人²、大野 雅央¹、藤本 亮¹、熊谷 翔平¹、黒澤 忠法¹、岡本 敏宏^1,3、渡邉 峻一郎^1,3、竹谷 純一^1,2 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST さきがけ)

キーワード：ドーピング、高分子半導体、アニオン交換

我々は分子ドーピングによるドープ量および熱耐久性を高める「アニオン交換ドーピング」という新たな手法を報告する。本手法では高分子半導体PBTTT薄膜をF4TCNQドーパントと有機塩の溶液へ浸漬する。PBTTTとF4TCNQの電荷移動の後に、PBTTT薄膜中のF4TCNQラジカルアニオンは有機塩由来のアニオンに交換されることを分光測定より確認した。本手法では有機塩の選択によってドープ量や伝導特性、安定性、熱耐久性を同時に向上することが可能である。