[11a-M113-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

[11a-M113-5] 炭素同位体（¹²C）を用いたダイヤモンドSAWデバイス

〇藤井 知^1,2、寺地 徳之³、嶋岡 毅紘³、市川 公善³、小泉 聡³ (1.沖縄高専、2.東工大、3.物質材料)

キーワード：ダイヤモンド、質量数12炭素、弾性表面波

第5世代移動体通信システムでは、キャリア周波数はミリ波帯や５～６GHz帯の電波領域までの利用検討が始まっている。NIMS・寺地らによりパワーデバイス用として提案された炭素同位体（¹²C）を用いたダイヤモンドをSAWデバイスへ展開することを試みた。Ib基板上にホモエピタキシャル成長した炭素同位体（¹²C）ダイヤモンド薄膜（4μｍ）にAlN薄膜を形成し、1ポート共振子を作製・評価を行った。その評価結果、共振周波数6.77GHzであることから、位相速度は13533m/sとなり、AlN/ダイヤモンド構造のSAW位相速度の2次モードより30％アップとなり、炭素同位体（¹²C）濃縮ダイヤモンドによりSAWの高周波化に成功した。