[11a-M113-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

[11a-M113-8] イオン注入単結晶ダイヤモンドの高温アニールによる結晶性向上

〇関 章憲¹、蔭浦 泰資²、平岩 篤^2,3、川原田 洋^2,3,4 (1.トヨタ自動車株式会社、2.早大理工、3.名大未来研、4.早大材研)

キーワード：半導体、ダイヤモンド、イオン注入

ダイヤモンドパワーデバイス作成に必要なイオン注入技術は、報告が少なく、SiCなどに比べ、ドーピング効率が10～50％と低い。本研究では、高温注入に加え、DLC表面保護膜で1800℃以上の高温アニールを実現、結晶性、ドーピング効率の向上を図った。RBSを用い、結晶性を評価。B（ホウ素）及びAl注入で、未注入基板品質まで改善。B注入試料のドーピング効率は、90%以上で、SiCと同様の結果を得た。