[11a-M121-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11a-M121-1] Mg recoil implantation into GaN with Nitrogen ions (3)

〇Toshikazu Yamada¹, Hisashi Yamada¹, Hiroshi Chonan¹, Noriyuki Taoka¹, Tokio Takahashi¹, Mituaki Shimizu^1,2 (1.AIST, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, recoil implantation, Mg

イオン注入のダメージを低減させるため、Mgを、GaN層上に積層した上、そこに窒素原子を集中的に注入し、はじき出されたMgがGaNバルク層に入るようにした(リコイルインプラテーション)。さらに窒素雰囲気下950℃アニール処理後の低温PL測定において、弱いながらDAPによる発光が確認された。