[11a-M121-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11a-M121-11] Evaluation of fabrication method of InGaAs Nanosheet used by HSQ

〇(M1)Minoru Kitamura¹, Toru Kanazawa¹, Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:semiconductor, Nanosheet

ナノシート架橋構造作製には、チャネルリリースの際に歩留まりが悪いことが問題としてある。今回の発表は、チャネルリリースの条件出しに結晶成長を逐一行うのではなく、ナノシートの両端をHSQによって固定することで、条件出しを簡便に行ったことを報告する。