[11a-PA5-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[11a-PA5-7] 窒化物半導体の熱電子放出特性におけるアルカリ金属吸着の影響

〇内田 翔太¹、安原 弘一郎¹、木村 重哉²、吉田 学史²、荻野 明久¹ (1.静大院工、2.(株)東芝)

キーワード：窒化物半導体、熱電子放出、アルカリ金属吸着

エミッタ材料としてアルカリ金属吸着させた窒化物半導体を用い、光照射による光支援熱電子放出およびCsの熱脱離特性を評価した。光照射の有無にかかわらずCs堆積時間が増加するにつれ、放出電流値が増加した。光照射を行わない場合ではCs堆積量を増やすことで電子放出の立ち上がり温度が低下し、エミッタ表面の仕事関数が低減した。光照射時では基板温度上昇とともにCsが脱離し、仕事関数が次第に増加した。