[11a-PB1-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[11a-PB1-1] Si量子ドット多重連結構造からの電界電子放出特性 - 積層数依存性

〇竹本 竜也¹、二村 湧斗¹、牧原 克典¹、大田 晃生¹、池田 弥央¹、宮崎 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：Si量子ドット、電子放出