[11a-PB1-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[11a-PB1-3] 酸化グラフェンアシストエッチングの反応メカニズム解明

〇窪田 航¹、石塚 隆高¹、宇都宮 徹¹、一井 崇¹、杉村 博之¹ (1.京大院工)

キーワード：半導体、酸化グラフェン、エッチング

貴金属を用いたシリコンナノ構造体は近年盛んに研究されており，電子デバイスや太陽電池，センサーへの応用が期待されている．当研究室では酸化グラフェンの触媒能に注目し，酸化グラフェンを用いたシリコンエッチングを報告してきた．本発表では異なる構造の酸化グラフェンを用いてエッチングを行うことでエッチングメカニズム解明を試みた．構造欠陥の少ない酸化グラフェンの方がエッチングレートが高く，よりエッチング反応を促進している可能性が示唆された．