[11a-PB2-1~10] 13.3 絶縁膜技術

△ [11a-PB2-8] Si基板上SiO₂絶縁膜の角度分解XPSを用いた深さ分解膜質評価

〇(M1)長谷川 菜¹、武田 さくら¹、吉栄 佑哉¹、上沼 睦典¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹、大門 寛¹ (1.奈良先端大)

キーワード：SiO2

近年，乗用車や鉄道などでは省エネルギー化や小型化が求められており，それらを兼ね備えた高電圧下で安定動作するパワーデバイスが必要不可欠となっている．しかし，パワーデバイス中に用いられる絶縁膜についてリーク電流が発生してしまうこと，界面準位が高くなってしまい不要な電子を捕らえてしまうことが課題として挙げられている．そこで本研究では，絶縁膜の作製プロセスの違いによる酸化膜の質の違いを明らかにすることを最終目標に掲げ，まずXPSで酸化膜質の深さ依存性を明らかにする手法の構築を目指した．具体的には，熱酸化膜とCVDによるSi酸化膜を角度分解XPS測定し，検討を行った．