[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PB4-10] InGaN/GaN多重量子井戸の表面プラズモン侵入長を越えた発光増強

〇村尾 文弥¹、中村 俊樹¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、船戸 充²、川上 養一²、岡本 晃一¹ (1.阪府大院工、2.京大院工)

キーワード：表面プラズモン、InGaN、プラズモニクス

3層(3QW)，5層(5QW)，10層(10QW)のInGaN/GaN(3 nm/10 nm)多重量子井戸(QW)からの青色発光を表面プラズモン(SP)を用いて増強した．Ag/GaN界面のSPの侵入長は16 nm程度であるのにも拘わらず，10QWにおいて2.3倍の予想を超える増強度が観察され，また障壁層を5 nmに狭めることでさらに増強が大きくなった．これは深部のQWの励起子が，発光速度の速い表面のQWへとFörster共鳴エネルギー移動を起こすためだと考えられ，多重構造であってもSPにより高効率化ができると期待される．