[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PB4-13] NH₃プラズマ照射GaN表面の分光エリプソメトリによる評価

〇熊谷 直人^1,3、板垣 宏知²、金 載浩^3,1、小木曽 久人²、王 学論^1,3,4、廣瀬 伸吾²、榊田 創^3,1、清水 三聡^1,4 (1.産総研 GaN-OIL、2.産総研 AMRI、3.産総研 ESPRIT、4.名大IMaSS)

キーワード：窒化物半導体、分光エリプソメトリ、プラズマ