[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PB4-15] 第一原理計算によるGaN表面の電子状態と電界効果

〇(B)齋藤 雅樹¹、関川 卓也²、佐々木 進^3,4、大野 義明¹ (1.新潟大理、2.新潟大自然、3.新潟大工、4.AMED先端計測)

キーワード：半導体、第一原理計算

GaNにおいては，長らくの間，自発分極の存在が示唆されてきた。実験による直接観察は，前大会において初めて報告されたばかりである。今回我々は，それを受けて理論的な検討を行った。具体的には，第一原理計算ソフトウェアOpenMXを用いてGaNのバルクおよび表面の部分状態密度、エネルギーバンドを計算し、実験との比較検討を行った。当日は、計算の結果と、計算方法の詳細やGaNの発光現象に対する自発分極の寄与などについて議論する。