[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PB4-17] GaN自発分極の第一原理計算による検討

〇関川 卓也¹、白石 賢二²、佐々木 進^3,4、大野 義章⁵ (1.新潟大自然研、2.名古屋大未来、3.新潟大工、4.AMED先端計測、5.新潟大理)

キーワード：半導体、第一原理計算

GaN/AlGaN界面を用いるHEMTは，ドーパントを用いずに2次元電子ガスが形成されること等から，GaNでは自発分極が生じていることが示唆されてきた。しかし、我々の知る限り，自発分極についての理論的な報告はなされていないので第一原理計算ソフトウェアOpenMX及びWIEN2kに基づいた電荷解析や電場勾配の解析計算結果を議論する。