[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11a-PB4-6] Theoretical investigations for growth modes of AlGaN thin films on AlN(0001) substrate

〇(M2)Shinnosuke Tsumuki¹, Abdul-Muizz Pradipto¹, Toru Akiyama¹, Kohji Nakamura¹, Tomonori Ito¹ (1.Mie Univ.)

Keywords:nitride semiconductor, crystal growth, simulation

AlNおよびGaNの混晶半導体であるAlGaNは、ワイドバンドギャップ半導体であることから深紫外発光デバイスへの応用が期待されている。本研究では、AlN(0001)基板上におけるAlGaN薄膜の成長様式について、マクロ理論に基づく自由エネルギー表式を用いて理論的に検討した。自由エネルギー表式を用いた計算より、Al組成が増大するにつれて基板と薄膜との格子不整合度が小さくなり、3次元島成長領域が減少することを明らかにした。