[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PB4-6] AlN(0001)基板上におけるAlGaN薄膜の成長様式に関する理論的検討

〇(M2)積木 伸之介¹、プラディプト アブドゥルミッツ¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体、結晶成長、シミュレーション

AlNおよびGaNの混晶半導体であるAlGaNは、ワイドバンドギャップ半導体であることから深紫外発光デバイスへの応用が期待されている。本研究では、AlN(0001)基板上におけるAlGaN薄膜の成長様式について、マクロ理論に基づく自由エネルギー表式を用いて理論的に検討した。自由エネルギー表式を用いた計算より、Al組成が増大するにつれて基板と薄膜との格子不整合度が小さくなり、3次元島成長領域が減少することを明らかにした。