[11a-S011-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[11a-S011-3] ゾーンリファイニング法によるβ-Ga₂O₃結晶の高純度化

〇伊藤 利充¹、尾崎 康子¹、富岡 泰秀¹、稲葉 英樹¹、渡邊 幸志¹ (1.産総研)

キーワード：酸化ガリウム、ゾーンリファイニング法、高純度化

β-Ga₂O₃中のSiの分配係数（相平衡状態にある固相と液相のSiの濃度比）を算出し、ゾーンリファイニング法が有効であることを確認した。従来にない高純度化の実現が期待される。分配係数を用いて育成結晶中のSi濃度の分布をシミュレーションした。