[11a-S011-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[11a-S011-4] 化学合成によるGa₂O₃:Cdナノ結晶の作製とバンドギャップ制御

〇船越 拓哉¹、築野 晃²、大谷 裕之³、首藤 健一^1,2、向井 剛輝^1,2 (1.横浜国大院理工、2.横浜国大院工、3.横浜国大院環情)

キーワード：バンドギャップ、Ga2O3:Cdナノ結晶

Ga₂O₃の最も重要な特徴はバンドギャップが広いことであり、その特徴を活用した高耐電圧の電子デバイスや短波長の光デバイスの研究が開始されている。デバイス作製では様々なバンドギャップをもつ材料を組み合わせる必要がある。本研究では、Ga₂O₃のバンドギャップを制御できる元素としてCdを見出した。作製したGa₂O₃:Cdナノ結晶の物性評価の結果を報告する。