[11a-S011-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[11a-S011-5] FZ 法で作製したbeta-Ga₂O₃ 単結晶の輸送特性

〇富岡 泰秀¹、尾崎 康子¹、稲葉 英樹¹、伊藤 利充¹ (1.産総研)

キーワード：浮遊帯域溶融法、酸化ガリウム、パワーデバイス

浮遊帯域溶融 (Floating Zone; FZ) 法により、Siをドープした beta-Ga₂O₃ 単結晶を育成し、輸送特性を調べた。低温では、アクセプターによる補償効果に起因する不純物伝導が現れ、ホール移動度の温度依存性から、原料中に不純物として含まれるFeまたはMgが、イオン化したアクセプターとなって、低温における移動度を律速していることが明らかになった。得られた結果は、 beta-Ga₂O₃ のp型特性発現に向けての手がかりになると考えられる。