[11a-S011-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[11a-S011-7] (Ga_xIn_1-x)₂O₃固溶体薄膜における結晶・電子構造の組成・基板依存性

〇宝賀 剛^1,2、知京 豊裕²、長田 貴弘² (1.鶴岡高専、2.物質・材料研究機構)

キーワード：酸化ガリウム、酸化インジウム、構造制御

本研究では、非平衡薄膜合成手法を用いて、単結晶基板と固溶体化によってGa₂O₃とIn₂O₃の構造制御の可能性の検討と物性がどの様に変化するかを検討した。系統的な物性評価のためにコンビナトリアル手法によって(Ga_xIn_1-x)₂O₃固溶体組成傾斜薄膜試料を作製し、その物性評価を行った結果を報告する。