10:45 〜 11:00
[11a-S011-7] (GaxIn1-x)2O3固溶体薄膜における結晶・電子構造の組成・基板依存性
キーワード:酸化ガリウム、酸化インジウム、構造制御
本研究では、非平衡薄膜合成手法を用いて、単結晶基板と固溶体化によってGa2O3とIn2O3の構造制御の可能性の検討と物性がどの様に変化するかを検討した。系統的な物性評価のためにコンビナトリアル手法によって(GaxIn1-x)2O3固溶体組成傾斜薄膜試料を作製し、その物性評価を行った結果を報告する。
一般セッション(口頭講演)
21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2019年3月11日(月) 09:00 〜 11:30 S011 (南講義棟)
金子 健太郎(京大)
10:45 〜 11:00
キーワード:酸化ガリウム、酸化インジウム、構造制御