[11a-S011-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[11a-S011-8] GaON薄膜の結晶化

〇赤沢 方省¹ (1.NTTデバイスイノベーションセンタ)

キーワード：GaON、結晶相、バンドギャップ

Ga₂O₃、GaNはワイドバンドギャップ材料としての有用性から特性が既知であるが、中間組成を有するGaONは未開材料である。本研究では、O₂、N₂ガスの流量比を変えてスパッタ法で成膜したGaON膜を真空アニールにより結晶化した。結晶相を同定し、結晶化温度の違いから各相の安定性を議論した。