[11a-S222-1~12] 12.4 有機EL・トランジスタ

[11a-S222-2] FET構造による電流注入型有機半導体DFBレーザー

〇下谷 秀和¹、カナガセカラン サンガベル²、小貫 駿¹、三浦 大輝¹、谷垣 勝己^1,2 (1.東北大理、2.東北大AIMR)

キーワード：有機半導体レーザ、有機電界効果トランジスタ

電流注入型有機半導体レーザーは有機発光素子における大きな挑戦的課題の一つであるが，これまでにレーザーや増幅自然放出光（ASE）の出力が広く認められた素子は開発されていない．そこで，我々はこれまで提案された素子構造のうち，FET構造がレーザー発振に最も適していると考え，この構造を用いた開発を行った．有機半導体材料には電子・正孔の易動度と発光効率がいずれも高い5,5”-bis(biphenyl-4-yl)-2,2’:5’,2”-terthiophene（BP3T）の単結晶を用いた．