[11a-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11a-S422-10] InP基板上引張歪GaAsSbとInGaAsの膜厚増加による結晶性劣化の比較

〇満原 学¹、星 拓也¹、杉山 弘樹¹、後藤 高寛²、竹中 充²、高木 信一² (1.NTT先端集積デバイス研、2.東京大学)

キーワード：半導体、GaAsSb、InGaAs

InGaAs/GaAsSbトンネルFETにおいて、オフ電流の低減するにはバンドギャップの大きな材料を用いることが有効である。GaAsSbとInGaAsは、引張歪を加えることでバンドギャップを増加させることが可能である。今回、引張歪GaAsSbとInGaAsの膜厚増加に伴う結晶性の変化を調べた。その結果、InGaAsでは成長表面の平坦性が著しく悪化するのに対して、GaAsSbでは平坦な表面を維持した状態での成長が可能なことを明らかにした。