2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11a-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年3月11日(月) 09:30 〜 12:15 S422 (S422)

權 晋寛(東大)、山根 啓輔(豊橋技科大)

11:00 〜 11:15

[11a-S422-6] ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜の電気特性の測定温度依存性

〇(D)河野 将大1、上田 大貴1、峰松 遼1、原口 智宏1、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工)

キーワード：GaAsN、原子層エピタキシー