[11a-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11a-S422-7] Biの単独照射GaAsBi/GaAs多重量子井戸のPL偏光度

〇山本 巧¹、樋口 憧生¹、神原 誉¹、下村 哲¹ (1.愛媛大院理工)

キーワード：偏光特性、GaAsBi