[11a-W331-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [11a-W331-4] Siリング共振器上の金属発熱層による光熱変換の評価

〇村井 俊哉¹、庄司 雄哉¹、水本 哲弥¹ (1.東工大)

キーワード：シリコンフォトニクス

光集積回路では、金属の光吸収による損失は避けることが望ましいが、光吸収の結果で生じる熱を利用することで、不揮発性光メモリや全光型の熱光学スイッチといった、実現困難なデバイスを実現可能にする。しかし、導波路内伝搬光の光吸収を積極的に利用し、導波路上の金属を発熱させる光熱変換について、詳細な解析を行った報告例はない。そこで今回、リング共振器と金属発熱層を用いて実験的に光熱変換を解析した結果を報告する。