[11a-W331-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [11a-W331-8] 固相エピタキシー法によるSOI基板上GeSn MSMダイオードの作製

〇岡 博史¹、水林 亘¹、石川 由紀¹、細井 卓治²、志村 考功²、渡部 平司²、前田 辰郎¹、内田 紀行¹、遠藤 和彦¹ (1.産総研、2.阪大院工)

キーワード：GeSn、フォトダイオード、固相エピタキシー

GeSnはSn添加によりバンドギャップが縮小するため、IV族の中赤外受光材料として期待されている。我々はこれまでにSi基板上にGeSn結晶層を直接成長させる手法として、アモルファスGeSnの低温堆積と固相エピタキシーによる単結晶GeSn薄膜形成を報告している。本研究ではGeSn中赤外受光素子に向け、固相エピタキシー法を用いてSOI基板上GeSn MSMフォトダイオードを作製したので報告する。