[11a-W331-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

[11a-W331-9] 横型PIN接合構造を用いた導波路型Ge受光器の高速動作特性の検討

〇藤方 潤一¹、小野 英輝¹、下山 峰史¹、八重樫 浩樹¹、鄭 錫煥¹、中村 隆宏¹ (1.光電子融合基盤技術研)

キーワード：受光器、ゲルマニウム、横型PIN接合

SiベースのPIN接合導波路上に細線導波路構造からなるGe層をエピタキシャル成長した，20-40 μm長の小型Ge受光器において，Oバンド波長帯で50GHzの高速動作を実証すると共に周波数帯域の入力光パワー依存性を検討した．