[11a-W351-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [11a-W351-7] Ferroelectricity and Interface structure in polar magnet h-ScFeO₃ film

〇Yousuke Hamasaki¹, Shintaro Yasui², Takahisa Shiraishi³, Akihiro Akama³, Takenori Kiguchi³, Tomoyasu Taniyama², Mitsuru Itoh² (1.National Defense Academy, 2.Tokyo Tech, 3.Tohoku Univ)

Keywords:Ferroelectricity, Film, YMnO3-type structure

PLD法を用いて準安定相であるh-ScFeO₃薄膜を作製し、その強誘電性、磁性を評価した。P-Eループ測定より強誘電性を確かめ、磁気測定ではh-ReFeO₃最高の195Kの磁気相転移温度を確認した。また、HAADF-STEM観察により薄膜界面の構造を調査した。