[11a-W351-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

△ [11a-W351-7] 極性磁性体h-ScFeO₃薄膜の強誘電性と界面構造

〇浜嵜 容丞¹、安井 伸太郎²、白石 貴久³、赤間 章裕³、木口 賢紀³、谷山 智康²、伊藤 満² (1.防衛大、2.東工大、3.東北大)

キーワード：強誘電体、薄膜、YMnO3型構造

PLD法を用いて準安定相であるh-ScFeO₃薄膜を作製し、その強誘電性、磁性を評価した。P-Eループ測定より強誘電性を確かめ、磁気測定ではh-ReFeO₃最高の195Kの磁気相転移温度を確認した。また、HAADF-STEM観察により薄膜界面の構造を調査した。