[11a-W521-5~10] 17.3 層状物質

[11a-W521-10] Mo原料にi-Pr₂DADMo(CO)₃を用いたMOCVD MoS₂膜の異なる成膜条件における膜質の評価

〇(B)山崎 浩多¹、日比野 祐介^1,4、石原 聖也^1,4、小柳 有矢¹、橋本 侑祐¹、澤本 直美¹、町田 英明³、石川 真人³、須藤 弘³、若林 整²、小椋 厚志¹ (1.明治大、2.東工大、3.気相成長、4.学振特別研究員)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、MOCVD、二硫化モリブデン

遷移金属ダイカルコゲナイドの一つであるMoS₂膜は新規チャネル材料など様々なデバイス応用が期待されるが、高品質で生産性に優れた成膜法の確立が実用化への課題となっている。我々はデバイス応用に適した成膜法としてMOCVD法に着目してきた。本発表では以前報告した新規Mo原料であるi-Pr₂DADMo(CO)₃を用いたMOCVD MoS₂膜について、異なる成膜条件における膜質の評価結果を報告する。