[11a-W521-1~4] 17.2 グラフェン

[11a-W521-3] 銅上CVDグラフェンにおけるTa誘起局所核生成のメカニズム

〇鈴木 誠也¹、原 正則²、吉村 雅満² (1.物材機構、2.豊田工大)

キーワード：グラフェン、化学気相成長、タンタル

化学気相成長(Cu)法で得られるグラフェンは多結晶であり、大面積の単結晶ドメインを得るには核生成を制御する必要がある。近年Cu上のCVD法において、Ni箔付近で局所的に炭素濃度が低下することを利用した簡便なグラフェンの核生成制御法が報告された。前回の発表で、成長基板のCu上にTa板を置くだけで、核生成が局所的に増加する現象を報告した。本研究では、このTaによるグラフェンの局所核生成のメカニズムについて報告する。