[11a-W521-5~10] 17.3 層状物質

△ [11a-W521-5] 集積化二次元WS₂の層数制御合成

〇亀山 智矢¹、李 超¹、金子 俊郎¹、加藤 俊顕^1,2 (1.東北大院工、2.JST さきがけ)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、合成、層数制御

我々は核発生点制御手法であるAuドット技術を使用し，WS₂の集積化合成に成功した。本研究では熱CVD法を利用し，キャリアガスであるAr流量の変化に着目しWS₂の層数制御合成を行った。結果，高Ar流量では単層WS₂が，低Ar流量では多層WS₂が得られ，WS₂の層数制御集積化合成に成功した。また，四重極質量分析器を用いてCVD中の前駆体の組成変化を観測したところ，層数制御合成においてWとSの比率が重要となることが示唆された。