[11a-W521-5~10] 17.3 層状物質

[11a-W521-6] 出発材料比較による高品質SnS薄膜の作製

〇川元 颯巳¹、東垂水 直樹¹、中村 優²、若林 克法³、長汐 晃輔¹ (1.東大マテリアル、2.NIMS、3.関学)

キーワード：SnS、硫化スズ、成長

通常のPVD法による成長では購入した粉末を出発材料として成長を行う．しかしながら，購入した粉末材料を調べたところ，酸化物，不純物が含まれており，成長に影響を及ぼしていることが考えられた．そこで高純度の結晶を出発材料とした成長を行い比較することで，より高品質な成長結晶を得ることを試みた．