[11a-W521-5~10] 17.3 層状物質

[11a-W521-7] 金属原料を用いた二硫化ハフニウム薄膜の作製 (2)

〇小澤 拓真¹、浦上 法之^1,2、橋本 佳男^1,2 (1.信州大工、2.信大カーボン研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド

二硫化ハフニウム(HfS₂)は高い電子移動度(1800 cm² V^-1 s^-1)とバンドギャップエネルギー(1.2 eV)
を持つ層状化合物半導体であり、低消費電力電子素子材料として期待されている。近年では
四塩化ハフニウム(HfCl₄)を前駆体とした化学気相堆積(CVD)法によるHfS₂の合成が報告されてい
る。本報告では高純度金属Hfと塩化ナトリウム(NaCl)の反応を利用したHfS₂薄膜の合成について報告する。