[11a-W641-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11a-W641-2] 電気化学測定によるCu₂O薄膜のパルス電着過程の追跡

〇柵木 光¹、宮内 勇人¹、Shivaji B. Sadale²、野田 啓¹ (1.慶應大理工、2.シバジ大学)

キーワード：光触媒、半導体

パルス電着によって粒子をTi板上に堆積させる際に得られる電流応答をScharifker―Hillsモデルと比較したところ、パルスを加えるごとにprogressiveの理論値からinstantaneousの理論値に近づいた。また薄膜表面のSEM像と比較ところ、パルスを加えるごとによる被覆率が高くなり、instantaneousの理論値と一致したところで被覆率が100%となった。以上の結果から、電流応答を観測することで薄膜堆積の様子をおおよそ推測できる可能性があると考えられる。