[11a-W934-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[11a-W934-4] Plasma reforming of SiH₄ gas toward low temperature formation of crystalline Si film

〇Keiichi Hamanaka¹, Hiroaki Kakiuchi¹, Kiyoshi Yasutake¹, Hiromasa Ohmi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:plasma, silane, reforming

Si₂H₆やSi₃H₈等の高次シランは結晶Si膜の低温成膜に有利な前駆体として注目されているが、SiH₄に比べ高価であるという問題がある。本研究では、SiH₄に高密度プラズマを用いてプラズマ改質を行い、高次シランのオンサイト生成を試みた。さらに、気相赤外吸収分光法により投入電力やガス流量、圧力等の条件を変化させた際のSiH₄分解量ならびにSi₂H₆生成挙動を調査したので、その結果について述べる。