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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[11a-W934-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年3月11日(月) 09:00 〜 11:45 W934 (W934)

石井仁(豊橋技科大)、佐々木実(豊田工大)

11:00 〜 11:15

[11a-W934-9] 金属/Ge界面のショットキーバリアに対する偏析層の効果：第一原理計算による検討

〇(M2)西本俊輝¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

キーワード：ショットキーバリア、ゲルマニウム