[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-1] SiAl溶媒を用いたp型4H-SiCの高温溶液成長における成長不安定化要因の改善

〇三谷 武志¹、小松 直佳¹、林 雄一郎¹、加藤 智久¹、奥村 元¹ (1.産総研)

キーワード：溶液成長、表面荒れ、炭化ケイ素

溶液法における主な結晶成長阻害要因はマクロステップ形成に伴う表面の荒れであり、この表面荒れを抑制するためには成長面内で均一な温度分布を形成する必要がある。シードホルダ構造を工夫することによって熱伝導を微調整し、Si溶媒を用いた高温溶液成長（2250℃）において、長時間に及ぶ結晶成長でも平坦な結晶成長を得ることに成功した。成長面安定性に加え、高温溶液成長を不安定化させる要因とその対策について報告する。