[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-17] 電場下での金属/(SiC, GaN) 界面における欠陥の形成; その理論的検討

〇(M2)長澤 立樹¹、中山 隆史¹ (1.千葉大理)

キーワード：界面、欠陥