[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-2] 3インチ4度オフ種結晶上へのSiC溶液成長における貫通転位変換とインクルージョン抑制の両立

〇海野 高天¹、朱 燦¹、原田 俊太¹、小泉 晴比古¹、田川 美穂¹、宇治原 徹^1,2 (1.名大、2.産総研)

キーワード：SiC、溶液成長

高品質な4H-SiC単結晶を成長させる手法として、溶液法が期待されている。これまでに我々は溶液成長においてSi-5at%Ti溶媒を用いたC面上での結晶成長により貫通転位を変換し、Si-Cr溶媒を用いて厚膜成長を行う二段階の成長により高品質化に成功している。本研究ではこれを3インチ4度オフの結晶に適用するために溶媒組成の検討を行い、一段階目の結晶成長において貫通転位変換とインクルージョン抑制の両立を達成した。