[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [11p-70A-3] 溶媒インクルージョンフリー溶液法4H-SiCを用いた超高品質結晶成長

〇川口 浩太郎¹、関 和明²、楠 一彦^1,2 (1.東北大院環境、2.新日鉄住金)

キーワード：溶液法、4H-SiC

本研究では、基底面転位を含まない溶液法結晶から作製した種結晶(1-100)面への結晶成長を試みた。ラマン分光法から成長結晶の結晶多形は4H-SiCであった。転位評価のために成長結晶の断面((0001)面) に溶融KOHエッチングを実施した結果、種結晶中には貫通転位を示すエッチピットが多く見られたが、成長結晶中には見られなかった。実験室反射X線トポ観察を行ったところ、成長結晶には基底面転位、積層欠陥も観察視野内には見られなかった。