2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2019年3月11日(月) 13:00 〜 17:30 70A (創立70周年記念講堂)

村田 晃一(電中研)、古庄 智明(三菱電機)

13:45 〜 14:00

[11p-70A-4] 大口径化にむけた機械学習によるSiC溶液成長の最適成長条件の決定

宇治原 徹1,2,4、角岡 洋介2,3、遠藤 友樹2、朱 燦1、沓掛 健太朗4、鳴海 大翔5、三谷 武志3、加藤 智久3、田川 美穂1,2、原田 俊太1,2 (1.名大未来研、2.名大院工、3.産総研、4.理研AIP、5.名大VBL)

キーワード:結晶成長、機械学習、最適化

我々は結晶成長シミュレーションと機械学習を活用することで、SiC溶液成長における溶媒内の温度分布、組成分布、流速分布を即座に予測できる高速予測モデルを構築にすでに成功している。本研究では、小さなサイズの結晶成長で得られた知見に基づき、3インチ超の結晶成長において最適と考えられる溶液状態を想定し、その状態を実現するための成長条件を即座に予測することを試みた。