[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-8] 4H-SiCトレンチのCVD埋戻し成長の高速化

〇紀 世陽¹、小杉 亮治¹、児島 一聡¹、足立 亘平¹、河田 泰之¹、望月 和浩¹、米澤 喜幸¹、吉田 貞史¹、奥村 元¹ (1.産総研)

キーワード：トレンチ埋戻し成長、化学気相成長、スーパージャンクション

4H-SiCトレンチのCVD埋め戻し成長における成長条件の検討と成長速度の高速化