[11p-M101-1~7] CS.9 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）, 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術, 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術,10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

[11p-M101-4] 64素子スピン流型磁気メモリアレイにおけるWrite Endurance試験

〇石谷 優剛¹、塩川 陽平¹、小村 英嗣¹、積田 淳史¹、須田 慶太¹、柿沼 裕二¹、佐々木 智生¹ (1.TDK(株))

キーワード：スピントロニクス、スピン軌道トルク、磁気トンネル接合

近年、電力供給に制限のあるエッジで使用するIoT/AIデバイスの低消費電力化が課題である中、待機電力が発生する揮発性のSRAMラストレベルキャッシュを代替する不揮発メモリが求められている。スピン軌道トルク(SOT: Spin Orbit Torque)を利用したスピン流型磁気メモリは、その高速動作からSRAMを代替する不揮発性メモリの候補の一つである。本発表では、64-MTJ(Magnetic Tunnel junction)素子のスピン流型磁気メモリアレイのWrite Endurance試験の結果について報告する。