[11p-M103-1~10] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[11p-M103-5] 単一量子ドットでの正孔ｇ因子の歪みチューニングに向けたデバイスの作製と評価

〇石田 太郎¹、松崎 亮典¹、鍜治 怜奈¹、小田島 聡²、海住 英生³、西井 準治³、足立 智¹ (1.北大院工、2.北大創成研究機構、3.北大電子研)

キーワード：半導体、量子ドット、歪み印加デバイス

本研究では，外部歪みによる正孔g 因子制御を目指し，圧電素子を用いた外部歪み印加構造の設計と作製を行った．圧電素子に蒸着したAu電極上に，ナノピラー加工を施した量子ドット試料を熱圧着した後，側面からの歪みの伝播を促すために，HSQをスピンコートした．量子ドットへの歪み伝播の有無の評価として発光エネルギーの変化を測定したところ、歪みε~0.06%を発生させる電場印加に対して約1.7 meVのエネルギーシフトが観測された．