2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[11p-M112-1~15] 12.2 評価・基礎物性

2019年3月11日(月) 13:15 〜 17:45 M112 (H112)

中村 雅一(奈良先端大)、若山 裕(物材機構)、渡邉 峻一郎(東大)

14:45 〜 15:00

[11p-M112-5] 波長掃引型低エネルギー高感度光電子スペクトルの解釈(1)

石井 久夫1,3,4、木全 俊輔2、濱田 北斗2、菊池 武文2、井手 一郎3、佐野 大輔3、丸山 泰一3、山口 雄生3、松﨑 厚志3、清水 康平3、田中 有弥1,3 (1.千葉大先進、2.千葉大工、3.千葉大院融合理工、4.千葉大MCRC)

キーワード:光電子分光、有機半導体、状態密度

有機エレクトロニクスを理解するには,有機半導体のバルクや界面の詳細な電子構造の理解が不可欠である。我々はこれまで,波長可変の低エネルギー紫外光源を用いた高感度紫外光電子分光法(HS-UPS)を開発し,HOMO準位に加え,ギャップ準位,トラップ準位を含む状態密度(DOS)や負イオン状態などを調べてきた。本研究では、励起光のエネルギーを振りながら測定した多数のスペクトルから、どのようにして光電子放出確率の励起光エネルギー依存性を排除して、試料の状態密度を求めるかについて議論する。