[11p-M113-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

[11p-M113-1] [第3回薄膜・表面物理分科会論文賞受賞記念講演] 反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの実証

〇松本 翼¹、加藤 宙光²、小山 和博³、牧野 俊晴²、小倉 政彦²、竹内 大輔²、猪熊 孝夫¹、山崎 聡^1,2、徳田 規夫^1,2 (1.金沢大、2.産総研、3.デンソー)

キーワード：MOS、ダイヤモンド、MOSFET

次世代の半導体デバイス、特に省エネルギー化を実現するパワーデバイス材料として期待されているダイヤモンドを用いて、ノーマリオフ動作を有する反転層チャネルMOSFETを世界で初めて実証した。最近では、窒素ドープダイヤモンド薄膜を用いた反転層チャネル動作にも成功した。本講演では、以上の成果について詳しく紹介する。