[11p-M113-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

△ [11p-M113-13] 高被覆率窒素終端(111)ダイヤモンドの作製

〇(B)立石 哲也¹、薗田 隆弘¹、河合 空¹、山野 颯¹、Jorge J. Buendia¹、蔭浦 泰資¹、石井 邑¹、永岡 希朗¹、福田 諒介¹、谷井 孝至¹、春山 盛善^2,3、山田 圭介²、小野田 忍²、加田 渉³、花泉 修³、Alastair Stacey⁴、神田 一浩⁵、上村 雅治^5,6、寺地 徳之⁷、磯谷 順一⁸、河野 省三⁹、川原田 洋^1,9 (1.早大理工、2.量研、3.群馬大、4.メルボルン大、5.兵庫県立大、6.SALLC、7.NIMS、8.筑波大、9.早大材研)

キーワード：窒素終端、(111) ダイヤモンド、NVセンター

我々は過去に窒素ラジカル暴露により高被覆率窒素終端(100)ダイヤモンドを作製し、浅いNV^－の電荷状態の安定化を確認した。窒素終端(111)ダイヤモンドは、(100)面と同様に表面において高い正の電子親和力(+3.23 eV)を有するため、浅いNV^－の電荷状態の安定化が見込まれる。今回、純窒素ガスを用いた窒素ラジカル暴露により、高い窒素被覆率を有する窒素終端(111)ダイヤモンドの作製に成功した。