[11p-M113-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

[11p-M113-15] ナノダイヤモンド中のNVセンター形成のための欠陥エンジニアリング

〇阿部 浩之¹、長田 健介²、武山 昭憲¹、寺田 大紀³、長谷川 伸¹、吉村 公男¹、小野田 忍¹、樋口 康成^1,4、加田 渉⁴、花泉 修⁴、白川 昌宏³、青木 伊地男²、大島 武¹ (1.量研高崎、2.量研放医研、3.京都大学、4.群馬大学)

キーワード：ナノダイヤモンド、NVセンター、電子線照射

量子センシング・イメージングに向けたナノダイヤモンド中のNVセンター形成について、電子線照射による欠陥エンジニアリングとその後の熱処理について最適化条件とそれらプロセスのプラットフォーム構築を目指す。量子センシング・イメージングは生物応用として単一細胞レベルから動物レベルにまで生体導入し、細胞内の生命現象により誘起される微小温度変化や細胞活性に伴う磁気・電気的変化量の測定やMRIを活用した体内のイメージング材料としてより効率的かつ高発光となるナノダイヤモンドNVセンター形成技術が求めら得ている。本発表では電子線照射による欠陥エンジニアリングと形成されるNVセンターとの相関関係とNVセンター形成の影響について調べた。